DDR3内存的电压降低至1.5V

　　土老冒：俺是觉得内存本身的功耗就不高，降低这么一点点对整个系统的贡献微乎其微，意义不大。

　　Z博士：话不能这么说，即使是降低1%，它仍然有意义，时代在进步，科技在发展，要在以前的进步上取得进一步进展，当然会比以前更难。就如同你考试第一次考了60分，第二次提升到了80分，第三次要想考100分那难度跟从60到80完全没法比是吧？

　　土老冒：博士说得也不错，尽管DDR3内存功耗只降低了不到30%，尽管内存本身的功耗就不高，但这种进步是值得肯定的。那么DDR3除了带宽提升、功耗降低外，还有什么特点吗？

　　Z博士：我还得补充一点，尽管能耗只降低了不到30%，对于内存这种低功耗产品来说降得不多，但如果我们把DDR3内存技术引入到笔记本等移动设备里面，可以大大地增加电池的续航时间，所以说DDR3内存的未来不仅仅是台式机，在笔记本领域应该会有很大作为。

　　土老冒：博士所言极是，俺太肤浅了，仅仅看到了桌面平台，没有考虑到笔记本电脑等移动设备。

　　Z博士：所以说，我们的视野应该开阔一点。你还想知道DDR3内存的什么呢？

　　土老冒：DDR3内存的基本特性博士也介绍得差不多了，您看有什么需要补充的就随便说吧，俺确实是门外汉，懂的太少了。

　　Z博士：老土看来很谦虚嘛。接下来我就说说DDR3内存的几个特殊功能吧。首先是Reset（重置）功能。

　　其实，Reset功能并不是什么新概念，业界对Reset功能很早之前就有了要求，只是在步入DDR3时代才正式采纳。Reset是DDR3内存新增加的一项重要功能，它使DDR3内存的初始化变得比以前简单。当Reset命令运行时，DDR3内存就会停止所有工作，并切换到最少量活动状态，节约能耗，这个时候，DDR3内存所有数据接收与发送器都会关闭，内部程序装置将会复位，延迟锁定回路（DLL）与时钟电路也会停止工作而不会对数据总线上的任何要求作出反映，这个时候，DDR3内存也是最省电的时候，这种特性对笔记本等移动设备来说无疑是相当有意义的。

　　土老冒：除了Reset功能外，DDR3内存还有新特性吗？

　　Z博士：当然还有。接下来该介绍的就是根据温度自刷新功能了。内存持续工作，它就得不断刷新数据，这也是内存最重要的操作。刷新分为两种，一种是自动刷新（Auto Refresh，简称AR），一种则是自刷新（Self Refresh，简称SR）。DDR3内存为了最大限度地节省电力，采用了一种新型的自动刷新技术：Automatic Self Refresh，简称ASR，它通过一个内置于内存芯片的温度传感器来控制刷新的频率，以前，刷新频率高，内存的工作温度就高，而加入温度自刷新技术后，DDR3内存则可根据温度传感器的控制，在保证数据不丢失的情况下尽可能减少刷新频率，从而降低内存工作温度。

DDR3内存能耗降低明显

　　土老冒：看来这个温度自刷新技术不仅在桌面平台有意义，而且在笔记本领域也大有前途，对超频玩家来说也具有不错的帮助。

　　Z博士：对的，温度自刷新的主要用途就是大大降低了内存工作温度。不过我要指出的事，温度自刷新功能在DDR3内存上只是一个可选设计，就如同迅驰四平台中的迅盘一样，它只是个选配模块，没有迅盘，它还是可以叫迅驰四，没有温度自刷新技术，仍然可以叫DDR3内存。

　　其次，温度自刷新也有一个范围，称作SRT即Self Refresh Temperature，它通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个普通温度范围，如0度到70度，另一个扩展温度范围，如最高100度，对内存内部设定的这两种温度范围，它将以一个恒定的频率和电流进行刷新的操作。

　　土老冒：原来如此，看来大家在购买时还是要注意啊。DDR3内存还有什么特性吗？

　　Z博士：还有一个叫做局部自刷新，即Partial Array Self Refresh，简称RASR，这也是DDR3内存的一个可选项，它的功能，可以让DDR3内存只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而进一步减少刷新带来的消耗，这个功能对笔记本电脑来说具有相当大的意义，它可以进一步增加电池的续航时间。

　　土老冒：博士介绍了这么多特性，似乎DDR3内存的这些特性都是为了降低能耗而设计的啊。如此看来未来的电脑的发展方向真的是向着低功耗、高性能的方向发展，DDR3内存采取了一系列措施来试图降低能耗，不管它的结果如何，俺至少从这些特性中看到了内存制造商所作出的种种努力。

　　Z博士：是的，让我们为DDR3内存的研发人员和标准制定者致敬！其实，DDR3内存还有一个趋势，就是朝着高容量发展。Windows vista以及64位操作系统的到来对内存容量提出了更高的要求。就目前看来，单条1GB内存已经成为绝对的主流，人们甚至对单条2GB内存提出了需求，而DDR3内存正是朝着这个方向发展。

　　DDR3内存采用了更高密度的内存颗粒，DDR2内存可以做到256MB～4GB容量，而DDR3内存最高可以做到单条8GB，而8GB还仅仅是在8个逻辑Bank的情况下达到的容量，DDR3内存为了应对未来大容量的要求，甚至为16个逻辑Bank做好了准备。

　　土老冒：博士你不止一次提到了逻辑Bank，这究竟是什么？

　　Z博士：我晕，这都不知道？逻辑Bank是由很多个存储单元纵横交错组成的阵列，内存的容量=存储单元总数×存储单元数量。存储单元总数=行×列×逻辑Bank数量，由此可见，内存容量实际上等于（行×列×逻辑Bank数量）×存储单元数量，DDR3为更多的逻辑Bank做好准备，对其内存容量的增加提供了可能。

逻辑Blank就像是一张EXCEL表格

　　不过我这里也仅仅是提到了逻辑Bank数量多的好处，而并没有解释逻辑Bank是什么。其实，内存的内部是一个存储阵列，如同一张EXCEL表格，只要我们知道所查的数据在哪一行哪一列，就可以很快的找到所需要的数据。而对内存来说，我们要查找的某个单元格就是存储单元，而这整个表格，就是逻辑Bank。如果说8个逻辑Bank是一张8行×8列的表格的话，那么16个逻辑Bank则是16行×16列的表格了。

　　同为8个逻辑Bank的DDR3内存为什么可以达到单条8GB容量，而DDR2却只能达到4GB容量呢？这就是DDR3内存的单个存储容量比DDR2内存大，其颗粒存储密度得到了增加。

　　土老冒：Z博士今天把DDR3内存的一些基本知识详细地介绍给了我们，不知道大家对DDR3内存的认识是否得到了升华呢？

　　Z博士：其实我也是不久之前才开始关注DDR3内存的，就目前来说，DDR3内存的价格是DDR2的4倍左右，而相对DDR2内存来说，其性能并没有提升4倍，尽管英特尔明确指出：DDR3内存是前端总线超过800MHz处理器的最佳解决方案。但成倍的价格无法换取成倍的性能提升注定让它在短时间内无法普及。博士预计，DDR3内存逐渐普及的时间应该会在2008年底至2009年，届时应该会有更多的内存模组厂商为我们奉上更超值、更丰富的DDR3内存来。

　　土老冒：谢谢Z博士的分享，昨天发工资了，俺请你吃饭吧。

　　Z博士：好啊，不过走之前，还得对广大网友说一声，请继续支持土老冒，继续支持Z博士，更多新鲜、热辣的内容尽在土老冒谈硬件！

　　土老冒：谢谢大家！

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