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内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国［含台湾省］厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面笔者就千辛万苦收集了一大批资料，带你去了解下它们： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX μPD4代表是NEC的产品。 "5"代表是SDRAM。 第1、2个X代表容量。 第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。 第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。 第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。 G5为TSOPII封装。 -A后的XX是代表速度： 80：8ns［125MHz］ 10：10ns［PC100 CL 3］ 10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。 12：12ns 70：［PC133］ 75：［PC133］ 速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 -XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。 例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。 3.TOSHIBA东芝。 TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式： TC59S XX XX X FT X-XX TC代表是东芝的产品。 59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。 第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。 第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。 FT为TSOPII封装。 FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 最后的XX是代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ 10：10ns［100MHz CL="3"］ 例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。 |