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虽然DDR3内存规格早已经被确定，而且主流内存模组厂商也陆续发布了各自旗下的DDR3内存，但动辄数千元的零售价格让大众消费者望而却步。另一方面，就连一直看好DDR3内存前景的英特尔也不得不让新款P35主板同时支持DDR2和DDR3两种规格内存。从上可以看出，虽然DDR3内存前景广阔，但高昂的售价和缺乏主板平台支持，在短时间内仍无法撼动DDR2内存的主流王座地位。
算起来，DDR2内存推出已经超过3个年头，规格也在不断进步，从最早的DDR2-400一路发展到目前的DDR2-1200。伴随着内存频率的不断提升，内存芯片制作工艺也有大幅改进，这点也就反映到内存芯片表面的编号规则。由于内存芯片编号规则繁杂，而且生产内存芯片的厂商数量也不少，因此很多消费者都不是很了解其中代表的含义。为了方便广大ZOL读者选购内存，了解内存芯片的技术特性，笔者特别整理了主流DDR2内存芯片编号规则。 韩国三星（SAMSUNG）：
以三星K4T1G084QA-ZCE6为例，K代表内存芯片，4代表DRAM，T代表DDR2内存，1G代表容量（51代表512MB），08代表位宽，4代表逻辑Bank数量，Q代表1.8V工作电压，A代表产品版本号，Z代表封装类型为FBGA-LF（G为FBGA，S为小尺寸FBGA），C代表普通能耗（L为低能耗），E6代表运行速度为DDR2-667·CL=5（D6为DDR2-667·CL=4，F7为DDR2-800·CL=6，E7为DDR2-800·CL=5）。 韩国海力士/现代（Hynix）：
以现代HY5PS12821E FP-Y5为例，HY代表现代，5P代表DDR2内存，S代表1.8V工作电压，12代表芯片容量为512Mb（56为256Mb，1G为1Gb），8代表位宽，2代表逻辑Bank数量，1代表接口类型为SSTL_2，E代表版本号，F代表封装类型为FBGA，P代表无铅，Y5代表速度为DDR2-667·CL=5（S6为DDR2-800·CL=6，S5为DDR2-800·CL=5，Y4为DDR2-667·CL=4）。 日本尔必达（ELPIDA）：
以尔必达E2508AB-GE-E为例，E代表DDR2内存，25代表芯片容量为256Mb（51为512Mb，11为1Gb），08代表位宽，A代表1.8V工作电压，B代表内核版本，GE代表DDR2-800·CL=5（6C代表DDR2-667·CL=4，6E代表DDR2-667·CL=5），E代表无铅。 德国奇梦达（Qimonda）：
奇梦达就是原来的英飞凌，以奇梦达HYB18T512800AF37为例，HYB代表奇梦达，18代表工作电压为1.8V（25为2.5V），T代表DDR2内存，512代表芯片容量为512Mb（1G为1Gb，256为256Mb），80代表位宽，0代表产品系列，A代表版本号，F代表FBGA封装，37运行频率为DDR2-533（3为DDR2-667）。 美国镁光（Micron）：
镁光DDR2内存芯片编号非常特别，封装上的编码并不是正规编号，而是一个特定编码，即使在官方网站上也不容易查到详细信息，因此笔者也无法概括出其具体含义。 编辑结语：由于时间有限，本次笔者首先整理出韩国三星、韩国现代、日本尔必达、德国奇梦达4家国际一线内存芯片厂商的编号定义。 |